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OCW:高等教育の教材情報(講義シラバス、講義ノート等)をインターネットで公開するプロジェクト

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内外大学OCW教材情報-集積回路技術-


MIT(Graduate Courses)
Integrated Microelectronic Devices, Fall 2002
■以下の様な内容で構成されている。
   Fundamentals
1 Introduction (PDF)
2 Electrons, Photons and Phonons (PDF)
3 Carrier Statistics in Equilibrium (PDF)
4 Carrier Statistics in Equilibrium (continued) (PDF)
5 Carrier Generation and Recombination (PDF)
6 Carrier Generation and Recombination (continued), Carrier Drift and Diffusion (PDF)
7 Carrier Drift and Diffusion (PDF)
8 Carrier Drift and Diffusion (continued) (PDF)
9 Carrier Drift and Diffusion (continued) (PDF)
10 Carrier Drift and Diffusion (continued), Carrier Flow (PDF)
11 Carrier Flow (continued) (PDF)
12 Carrier Flow (continued) (PDF)
13 Carrier Flow (continued) (PDF)

Metal-Semiconductor Junction
14 Carrier Flow (continued), Metal-Semiconductor Junction (PDF)
15 Metal-Semiconductor Junction (continued) (PDF)
16 Metal-Semiconductor Junction (continued) (PDF)
17 Metal-Semiconductor Junction (continued) (PDF)

p-n Junction
18 p-n Junction (PDF)
19 p-n Junction (continued) (PDF)
20 p-n Junction (continued) (PDF)
21 p-n Junction (continued) (PDF)

Metal-Oxide-Semiconductor Structure
22 The Si Surface and the Metal-Oxide-Semiconductor Structure (PDF - 1.1 MB)
23 The Si Surface and the Metal-Oxide-Semiconductor Structure (continued) (PDF)
24 The Si Surface and the Metal-Oxide-Semiconductor Structure (continued) (PDF)
25 The Si Surface and the Metal-Oxide-Semiconductor Structure (continued) (PDF)

MOS Field-Effect Transistor
26 The Si Surface and the Metal-Oxide-Semiconductor Structure (continued), The "Long" Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (PDF)
27 The "Long" Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (continued) (PDF)
28 The "Long" Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (continued) (PDF - 1.2 MB)
29 The "Long" Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (continued) (PDF)
30 The "Long" Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (continued) (PDF)
31 The "Short" Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (PDF)
32 The "Short" Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (continued) (PDF)
33 The "Short" Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (continued) (PDF)
34 The "Short" Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (continued) (PDF)

Bipolar Junction Transistor
35 Bipolar Junction Transistor (PDF)
36 Bipolar Junction Transistor (continued) (PDF)
37 Bipolar Junction Transistor (continued) (PDF)
38 Bipolar Junction Transistor (continued) (PDF)
39 Bipolar Junction Transistor (continued) (PDF)
40 Bipolar Junction Transistor (continued) (PDF)

■上記のLecture Notesとして上記の如くPDFファイルが公開されている。


MIT(Undergraduate Courses)
学生向け集積回路講座として以下の2コースが掲載されている。

Microelectronic Devices and Circuits, Spring 2003

 上記のLecture NotesとしてPDFファイルが公開されている。

Microelectronic Devices and Circuits, Fall 2003
 上記のLecture NotesとしてPDFファイルが公開されている。

大阪大学・工学部
集積デバイス工学 Integrated Circuit Engineering
■以下の様な内容で構成されており、回路寄りの設計の実践的な内容も記述されている。
  MOSFET
CMOSアナログ回路の基礎
デバイスのマッチング
AC特性の考え方
歪特性
雑音特性
カスコード増幅回路
CMOS差動増幅回路
高精度電流源
基準電流源
基準電圧源
帰還増幅回路
オペアンプ(1)
・オペアンプとその応用
・オペアンプの内部構造
・差動増幅回路の設計
・高性能化
オペアンプ(2)
・出力段の設計
・設計上の注意事項
・位相補償
ダイナミック・アナログ回路

■上記のコースノートとしてPDFファイル、10ファイルが公開されている。



集積回路設計論 LSI Circuit Design
以下の様な内容で構成されており、COMSに限定した基礎的な内容。
   MOSデバイスとは
MOSデバイスの製造方法
MOSデバイスの基本的な電気特性
チャネル長変調効果
短チャネル効果
基板バイアス効果
弱反転状態
MOSFETの直流小信号等価回路
MOSFETの寄生容量
MOSFETの交流小信号等価回路
CMOSアナログ回路の基礎
 1.カレント・ミラー
 2. 各種接地増幅回路
 ・CMOS差動増幅回路
 ・素子特性のマッチング
CMOSインバータ回路
入出力特性
スピード
消費電力
基本論理回路
・3‐State インバータ
・シュミット・トリガ
・伝達ゲート
・フリップ・フロップ
バッファ回路の設計
セットアップ時間、ホールド時間
PLL(Phase Locked Loops)
CMOSのラッチアップ
入出力保護回路
TSPC(True Single Phase CMOS)
Dynamic Logic 回路
? Dynamic Logic
? Domino Logic
? NORA(No-Race) Logic
高速インターフェース技術の基礎

■上記のコースノートとしてPDFファイル、11ファイルが公開されている。

■上記コースノートの以下はリンクに誤りが有り以下が正しい。
  Lecture Note No.3 (in Japanese) 集積回路設計論B
  Lecture Note No.4 (in Japanese) 集積回路設計論C



量子デバイス工学 Semiconductor devices
以下の様な内容で構成されており、COMSに限定した基礎的な内容。
  MOSFETの特性
MOSFETの小信号等価回路
バイポーラ・デバイスの動作原理
Ebers-Moll モデル
Ebers-Moll モデルの補正
スイッチング特性
小信号等価回路
半導体素子の小信号パラメータ解析
半導体素子における雑音
雑音指数
雑音整合
NQS(Non-Quasi-Static)効果
NQSを考慮した雑音整合
デバイスの電力利得
MOSFETの電力利得
ゲート電極の抵抗
バイポーラ・デバイスの電力利得
位相雑音(Phase Noise)
1.位相雑音の定義
2.位相雑音の重要性
3.位相雑音のモデル
4.位相雑音の測定原理
キャリア速度の飽和
最大電界強度の見積もり
ホットキャリア効果
SOIデバイス
不揮発性メモリ
界面準位、捕獲準位
絶縁破壊
受光素子
1.光吸収の物理
2.受光素子の種類(動作原理)
・pnフォトダイオード
・pinフォトダイオード
・フォトトランジスタ
3.ショット雑音
CCDデバイス
イメージ・センサ

■上記のコースノートとしてPDFファイル、10ファイルが公開されている。






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